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10Gbps APD Chip For XG-PON OLTXG-PON OLT 用 10Gbps APD 雪崩光电二极管芯片


INTRODUCTION介绍


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10Gbps APD Chip For XG-PON OLT- OS-APD1030

Features 

   Data rates up to 10Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

  

Application

   XG-PON     OLT  
   Optical  Ethernet 


Specification  (Tc=25℃) 

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active   area diameter

D


30


µm


Response   range

λ

900


1650

nm


Breakdown   Voltage

VBR


30


V

Id=10uA

Responsivity

R


0.75


A/W

M=1

Temperature  

coefficient   of VBR



0.05


V/


Dark   current

ID



30.0

nA

VR=0.9*VBR

Capacitance

C


0.10

0.13

pF

VR=0.9*VBR

Bandwidth

Bw


7.5


GHz


Bond Pad Diameter


65

µm


Die size


220X220

µm



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