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砷化镓(GaAs)霍尔器件 OS-HD-GA001GaAs Hall Element - OS-HD-GA001


INTRODUCTION介绍


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砷化镓(GaAs)霍尔器件 - OS-HD-GA001


产品特性:

灵敏度高
线性度好
高可靠性
体积小


产品应用:

流量检测
位置/速度检测与控制
变速驱动
 

       霍尔器件是一种利用半导体霍尔效应原理工作的一种磁敏感半导体器件,按半导体材料不同,分为Si、InSb和Si三种,其中Si霍尔器件和处理电路集成在同一芯片上可形成霍尔集成电路,可用于变速驱动、无刷直流电机、电流监控、功率感应、运动监测、流量感应等技术领域,是家用电器、汽车电子、移动通信终端、工业自动控制、铁路运输、电源管理等领域最重要的传感器件之一,具有体积小,重量轻,功耗低,寿命长,无触点、无磨损、安装方便等特点。

 

参数最小值标准值最大值测试条件
 输出霍尔电压(mV) 140 150 170 B=100G, Vc=5V
 输入阻抗(KOhm) 1.0 1.25 1.5 B=0 G, Ic=1mA
 输出阻抗(KOhm) 1.8 2.3 3.0 B=0 G, Ic=1mA
 不平衡电压(mV) - - ±5 B=0 G, Vc=1V
 温度系数(%/℃) - - -0.06 B=100G, Ic=5mA
T1=25℃,T2=125℃
 绝缘阻抗(MOhm) - - 2.0 100V


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