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InGaAs 25G /100G PIN PD Chip & 1XN Array25G-100Gbps光探测器芯片及1X4阵列


INTRODUCTION介绍


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25Gbps InGaAs PIN &1x4 Array PD Chip - OS-PD2520、OS-PD4x2520


Features

   Data rate up to 25Gbps &100Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

   Diode on Semi Insulating Substrates

   Anode/Cathode Pads on Front Side


Application

   10G-EPON

   IEEE 100 Gigabit Ethernet (1x4 Array)

   Data Center

   Long-haul optical networks


Specification  (Tc=25℃,Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active   area diameter

D


20


µm


Response   range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.8

0.85


A/W

λ=1310nm


0.9


λ=1550nm

Dark   current

ID


0.04

0.10

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.07

0.10

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


23.0


GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X340

µm

For   Single Die

250X1360

For 1x4 Array


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